东芝加紧改进这种器件的结构并据此开发了第三代SiCMOSFET

根据消息显示，这款新产品采用了全新的器件结构，导通电阻低，开关损耗比二代产品降低了20%左右。

2020年8月，东芝采用这项新技术量产了第二代SiC MOSFET ——1.2kV SiC MOSFET这种结构将SBD嵌入MOSFET中，可以和PN二极管并联放置，可靠性可以提高10倍

上述器件结构虽然可以显著提高可靠性，但有不可避免的缺点——比导通电阻和性能指标会增加，从而降低MOSFET的性能，另外，为了降低导通电阻，第二代SiC MOSFET必须增加芯片面积，这也会带来成本的增加。

因此，东芝加紧改进这种器件的结构，并据此开发了第三代SiC MOSFET优化电流扩散层结构，减小电池尺寸实验结果表明，与第二代SiC MOSFET相比，东芝新器件结构比导通电阻降低43%，Ron *Qgd降低80%，开关损耗降低约20%

东芝最新公告表示，采用新器件结构技术的第三代SiC MOSFET将于8月量产，印证了东芝正在加紧SiC业务的布局，步入IDM模式的正轨。

今年Q1，东芝宣布将利用其在半导体制造设备技术方面的优势，在内部生产用于功率半导体的碳化硅外延片，并投资55亿元扩大功率器件生产，包括建设8英寸碳化硅和氮化镓生产线。

东芝表示，未来外延器件+外延片+器件的垂直整合模式有助于其抢占铁路，海上风力发电，数据中心，车辆等市场。

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原标题：东芝加紧改进这种器件的结构并据此开发了第三代SiCMOSFET